El presente trabajo tiene como objetivo el estudio de las propiedades estructurales, opticas y electricas de las peliculas de oxido de silicio rico en silicio (SRO), para su posible aplicacion a dispositivos optoelectronicos, y de esta forma contribuir con nuevos conocimientos de las propiedades de las peliculas de SRO. Las peliculas de SRO con diferentes excesos de silicio se depositaron mediante LPCVD (Deposito Quimico en Fase Vapor a Baja Presion), posteriormente algunas muestras fueron tratadas termicamente a diferentes tiempos y temperatura. En estas peliculas se analizaron las propiedades estructurales y opticas, en funcion de los diferentes excesos de silicio y tiempos de tratamiento termico. Ademas, se investigaron las propiedades electricas y fotoelectricas de la estructura Al/SRO/Si. Los resultados muestran que el SRO por si mismo responde a la excitacion luminica lo que abre la posibilidad a continuar investigando nuevos dispositivos fotoelectricos. Por otro lado, el doble comportamiento de la estructura Al/SRO/Si como union PN y como capacitor nos permite obtener de forma novedosa la concentracion y el tiempo de generacion de substratos de silicio de alta resistividad."
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